Krisenkommunikation bei endogenen Unternehmenskrisen

Im Mai 2008 wurde bekannt, dass die Deutsche Telekom AG Verbindungsdaten von Managern, Aufsichtsräten und Journalisten in den Jahren 2005 und 2006 unerlaubt überprüfte. Die Affäre weitete sich aus und es wurde ersichtlich, dass bis zu 60 Personen bespitzelt wurden. Die ehemaligen Vorstände Kai-Uwe Ricke und Klaus Zumwinkel gerieten in den Verdacht dies in Auftrag gegeben zu haben. Die Krise war sehr lange Zeit in den Medien - erst im November 2010 wurde in einem gerichtlichen Prozess der damalige Leiter der Konzernsicherheit verurteilt. Mithilfe der Analyse von Presseberichterstattungen, Unternehmensmitteilungen und einem Interview mit dem Leiter des Corporate Issues Teams der Telekom, wird der Verlauf der Unternehmenskrise dargestellt und die Auswirkungen der Kommunikation auf das Unternehmensumfeld erläutert. Es wird untersucht wie und warum das Unternehmen in dieser Art und Weise mit der Öffentlichkeit kommunizierte. Dadurch konnten allgemeine Erfolgsfaktoren, die zu einer guten und schnellen Bewältigung einer Krise beisteuern, abgeleitet werden.

Autorentext
Anne Cörstges absolvierte 2011 ihr Studium Medienmanagement in der Fachrichtung PR und Kommunikationsmanagement an der Macromedia Hochschule für Medien und Kommunikation in Köln. Sie arbeitete bereits bei verschiedenen internationalen PR-Agenturen und Unternehmen.

Klappentext
Zinc oxide, ZnO, has been attracting much attention because of its potential applications in photonic and optoelectronic devices. The notable properties of ZnO include direct band energy gap (Eg=3.37 eV at RT), large exciton binding energy of 60 meV, and strong cohesive energy of 1.89 eV. Recent reports on the lasing mechanism of ZnO have shown that ZnO is a promising photonic material for exciton devices in the wavelength ranging from blue to ultraviolet. It is well known that high quality materials are required for optoelectronic devices. At the current stage the problems in extending toward ZnO-based device applications are the difficulty in achieving high crystal quality in either bulk or thin film dimensions of ZnO, as well as the difficulty in controlling p-type conductivity. On the other hand, control of the crystalline defects in naturally n-type ZnO is the critical issue to obtain p-type ZnO. This book is focused on improving the quality of ZnO films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy (P-MBE) on c-sapphire with a MgO buffer layer through optimization of buffer layers and detailed structural characterization.

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